為什么碳化硅MOSFET會(huì)取代IGBT?

碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它們具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻、更高的耐壓和更高的結(jié)溫，因此在高頻、高壓和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊應(yīng)用中仍具有優(yōu)勢(shì)。SiC碳化硅MOSFET技術(shù)性能上的優(yōu)勢(shì)，使變換器的設(shè)計(jì)可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本
 
光伏逆變器，電動(dòng)汽車(chē)，儲(chǔ)能變流器，充電樁電源模塊等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展已經(jīng)成為行業(yè)的必然趨勢(shì)，這對(duì)半導(dǎo)體器件也提出了高耐壓要求。
相比于硅基高壓器件，碳化硅開(kāi)關(guān)器件擁有更高的頻率和更小的導(dǎo)通電阻以及開(kāi)關(guān)損耗，在大功率或超大功率應(yīng)用領(lǐng)域有著天然的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，也必將伴隨著應(yīng)用的發(fā)展向著更高的電壓等級(jí)蓄力發(fā)展。
 
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